SI2321DS-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI2321DS-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI2321DS-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI2321DS-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 2.9 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.057 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236-3 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 710 mW Factory Pack Quantity: 3000 Part # Aliases: SI2321DS-GE3
-
Количество страниц9 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
03.06.2024
03.06.2024
02.06.2024